Научный семинар по фотонике и оптоэлектронике

Научный семинар по фотонике и оптоэлектронике

Мероприятие прошло
28 февраля 2022
Место проведения
Участие online
Контактное лицо
Антоненкова Анна Юрьевна
О мероприятии

28 февраля с 16:00 до 17:00 по московскому времени

Тема доклада: «Исследование процессов формирования, механизмов токопереноса и излучательных характеристик периодических структур на основе оксида цинка».

В докладе будут рассмотрены проблемы создания прозрачных проводящих слоев (TCO) для устройств  прозрачной  электроники,  механизмы переноса носителей заряда и излучательные характеристики слоев ТСО.

Докладчики

Сметанин Е.А, аспирант кафедры нанотехнологий и микросистемной техники инженерной академии РУДН.

Похожие мероприятияВсе мероприятия
2022
28 февраля
Научно-методический семинар «Языковой аспект интеграции и самоидентификации в современном мире»
Будет заслушан доклад к.и.н., доцента Ю.С. Медведева на тему «Создание ЭУК (электронные учебные курсы) на платформе Юрайт». Семинар пройдет с использованием дистанционных образовательных технологий.
2022
28 февраля
Ежегодный научный семинар «Современные проблемы геоэкологии»
Научный семинар «Современные проблемы геоэкологии» проводится ежеквартально. На предстоящем семинаре будут обсуждаются проблемы оценки выбросов углерода в окружающую среду с помощью дистанционных методов и сокращение влияния сельскохозяйственного производства на биосферу, которые являются важнейшими современными геоэкологическими проблемами всего мира с привлечением молодых и иностранных ученых.
2022
1 марта - 15 июня
Международный конкурс «Молодой аналитик Евразии 2022»
Продолжается прием конкурсных работ на Международный конкурс «Молодой аналитик Евразии 2022». Решением Экспертного совета он продлён до 15 июня 2022 года.
2022
1 марта
Научный семинар «Параметрически выпуклый анализ и его приложения»
В параметрически выпуклом анализе рассматриваются количественные характеристики степени выпуклости или невыпуклости множеств, а также изучаются свойства сильно и слабо выпуклых множеств в зависимости от этих параметров выпуклости.